21 เมษายน 2568
ผู้ชม 591 ผู้ชม
The right system for growth of graphene mono layer and rapid thermal implant annealing of silicon carbide wafers
- Silicon Carbide implantation annealing : คือกระบวนการ อบคืนสภาพ (annealing) หลังจากการ ฝังไอออน (ion implantation) ลงในวัสดุ ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ซึ่งใช้เพื่อ ซ่อมแซมความเสียหายจากการฝังไอออน และกระตุ้นการทำงานของโดปแอนต์ (dopant activation)
- Graphene by high temperature SiC sublimation : คือเทคนิคการสังเคราะห์กราฟีน (Graphene) โดยการ ให้ความร้อนสูงกับแผ่นซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) จนทำให้ ซิลิคอน (Si) ระเหยออกไป (sublimation) เหลือแต่ ชั้นคาร์บอน (C) ที่จะจัดเรียงตัวกลายเป็น กราฟีน (Graphene) บนผิวหน้าของ SiC
- CVD of graphene : คือเทคนิคการเตรียมกราฟีน (Graphene) แบบ ฟิล์มบาง โดยใช้กระบวนการ เคมีจากไอระเหย (Chemical Vapor Deposition – CVD) ซึ่งเป็นวิธีที่นิยมและใช้กันแพร่หลายในการผลิตกราฟีนคุณภาพสูง โดยเฉพาะแบบ single-layer หรือ few-layer graphene
- High temperature annealing : คือกระบวนการ "อบคืนสภาพ" (annealing) โดยการให้ความร้อนสูงกับวัสดุ เพื่อปรับปรุงหรือเปลี่ยนแปลงคุณสมบัติทางโครงสร้างของวัสดุนั้น เช่น:
-
ลดความเครียดในโครงผลึก
-
กระตุ้นการตกผลึก (crystallization)
-
ฟื้นฟูความเสียหายจากการฝังไอออน (ion implantation damage)
-
กระตุ้น dopant activation ในเซมิคอนดักเตอร์
-
The Zenith is high temperature RTP system that can run a one hour process at 2000°C
The Zenith-150 system can process samples up to 6-inch diameter at temperature up to 2000°C. It is specially developed to meet the requirements of universities research laboratories.
The system has a stainless steel water-cooled chamber. The cold wall chamber technology provides significant advantages: high process reproducibility, low memory effect, higher cooling rates.
The high temperature tungsten heaters provide enhanced temperature uniformity. The system is not compatible with oxidizing atmosphere and the installation of a turbo pump is mandatory.
Both pyrometer and thermocouple temperature measurement are standard features. The fast digital PID temperature controller provides high and stable temperature repeatability (± 1°C). The system assures accurate and repeatable thermal control across the temperature range.
The design process chamber provides easy loading and unloading of the substrates and the installation of the thermocouples.
The Zenith has the fastest ramp rate for high temperature annealing with 4°C/s up to 1800°C
- Up to 2000 °C
- Heating rate: room temperature to 2000°C in 10 minutes
- High vacuum
- Vacuum, neutral gas and reducing process atmosphere
The Zenith can receive optional features for higher vacuum capabilities and CVD applications.
- Graphite and silicon carbide coated susceptors
- Rough vacuum pump and turbo pump, turbo pump
- Automatic pressure control with throttle valve
Product Brochure