21 เมษายน 2568
ผู้ชม 415 ผู้ชม
- Rapid Thermal Annealing (RTA) : การอบความร้อนอย่างรวดเร็ว เพื่อปรับปรุงคุณสมบัติของวัสดุ เช่น การกระจายตัวของอะตอม การลดความเครียดภายในวัสดุ
- Implantation annealing : การอบหลังการยิงฝังไอออน เพื่อกระตุ้นให้ไอออนที่ฝังเข้าไปอยู่ในตำแหน่งที่เหมาะสม
- Contact annealing (III-V and SiC) : กระบวนการให้ความร้อนหลังการสร้างขั้วไฟฟ้า (metal contact) บนวัสดุกึ่งตัวนำ เพื่อปรับปรุง คุณสมบัติของจุดสัมผัสระหว่างโลหะกับเซมิคอนดักเตอร์ ให้กลายเป็น ohmic contact ซึ่งช่วยให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านได้ดี โดยมีความต้านทานต่ำ
- Rapid thermal oxidation (RTO) : การเกิดออกไซด์บนผิวของวัสดุอย่างรวดเร็ว
- Rapid Thermal Nitridation (RTN) : คือกระบวนการเปลี่ยนผิวของวัสดุ เช่น ซิลิคอน (Si) ให้กลายเป็น ชั้นไนไตรด์ (เช่น Silicon Nitride – Si₃N₄) อย่างรวดเร็ว ด้วยการให้ความร้อนสูงในช่วงเวลาสั้น ๆ ภายใต้บรรยากาศของก๊าซไนโตรเจน หรือก๊าซที่มีไนโตรเจน เช่น NH₃ (ammonia) หรือ N₂O (nitrous oxide)
- Annealing of piezoelectric and pyroelectric materials : กระบวนการให้ความร้อนแก่วัสดุเพียโซอิเล็กทริก (piezoelectric) และ ไพโรอิเล็กทริก (pyroelectric) เพื่อปรับปรุงคุณสมบัติทางไฟฟ้า โครงสร้างผลึก หรือสมบัติเชิงกลของวัสดุเหล่านี้ให้เหมาะสมต่อการใช้งาน
- Rapid Thermal Evaporation (RTE) : เทคนิคการเคลือบฟิล์มบาง (thin film deposition) แบบหนึ่งที่ใช้ ความร้อนอย่างรวดเร็วและเฉพาะจุด เพื่อระเหยวัสดุเป้าหมาย ให้กลายเป็นไอ แล้วให้ไอเหล่านั้นควบแน่นลงบนพื้นผิวของซับสเตรต (substrate) → กลายเป็นฟิล์มบาง
- Selenization คือกระบวนการเติม เซเลเนียม (Se) เข้าไปในชั้นฟิล์มบางของวัสดุ เพื่อ เปลี่ยนโครงสร้างสารตั้งต้นให้กลายเป็นวัสดุกึ่งตัวนำชนิด CIGS ซึ่งเป็นวัสดุหลักที่ใช้ใน CIGS solar cells หรือเซลล์แสงอาทิตย์แบบฟิล์มบางชนิดหนึ่ง
- Sol-gel densification and crystallization คือ กระบวนการที่เกิดขึ้นหลังจากการเตรียมฟิล์มบางหรือวัสดุจากเทคนิคโซล-เจล (sol-gel) โดยมีเป้าหมายเพื่อเปลี่ยนสารตั้งต้นให้อยู่ในรูปแบบที่ แน่น (dense) และ มีผลึก (crystalline) ด้วยการให้ความร้อน (annealing)
The AS-Premium double side heating has been developed for annealing compound semiconductor wafers using silicon carbide coated susceptors.
- Rapid Thermal Annealing (RTA)
- Implant annealing
- Contact annealing (III-V and SiC)
- Rapid Thermal Oxidation (RTO)
- Rapid Thermal Nitridation (RTN)
- Annealing of piezoelectric and pyroelectric materials
- Getter activation
- Rapid Thermal Evaporation (RTE)
- Selenization (CIGS solar cells)
- Sol-gel densification and crystallization
- Etc.
The AS-Premium reactor with the loadlock and turbo pumps provide oxygen free environment for silicon smoothening and other oxygen sensitive processes.
The Annealsys AS-Premium system can process samples up to 150 mm diameter or 156x156 mm² .
The reactor platform and the machine have been designed to accommodate a wide range of configurations to meet customers’ requirements in terms of process.
The chamber can receive a single side or a double side lamp heating furnace. The design of the process chamber allows manual loading and the connection to a cluster tool or a glove box (options).
Pyrometer and thermocouple temperature control are standard features. The fast digital PID temperature controller provides high temperature reproducibility.
Graphite and silicon carbide coated graphite susceptors are available for processing of samples with encapsulation.
The furnace provides the highest ramp rate up to 250°C/s for 2-inch wafers
- Temperature range: RT to 1250°C
- Ramp rate up to 250°C/s on 2-inch diameter silicon substrate, 200°C/s on 3-inch
- Gas mixing capability with mass flow controllers
- Vacuum range: Atm to 10-2 Torr (10-6 Torr with optional turbo pump)
- Thermocouple temperature control with fast digital PID temperature controller
- Optional pyrometer control
- Full PC control with Windows compatible software
The AS-Premium chamber can be provided with manual loading, loadlock loading or cassette to cassette loading including vacuum cluster tool.
- Furnace and loading configurations
- Graphite and silicon carbide coated susceptors
- Rough vacuum pump and turbo pump, turbo pump
- Automatic pressure control with throttle valve
- Fast cooling system
Product Brochure